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FDP020N06B |
TO-220-3 | Fairchild Semiconductor | 鐢佃瘽锛�0755-83217923 询价QQ：  |
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FDP020N06B参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3 包装数量：50 包装形式：管件 PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压 (Vdss)：60V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：120A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：2 毫欧 @ 100A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：268nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：20930pF @ 30V 功率 - 最大值：333W 安装类型：通孔 |
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热门型号： PMIC - 电源MIC2564A-1YSMTR 继电器W1A23A270KAT2A 矩形- 接头，公引DF13-6P-1.25V(20) 逻辑 - 栅极和逆CD4001BPWG4 电路板衬垫，支座TO-35-130 热敏电阻 - PTB59081G1120A161 TVS - 晶闸管P0300ECRP2 晶体管(BJT) MJE13003G 矩形 - 外壳DF4-12P-2C 键锁式CKL12AFW01-007 |
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